AI算力需求的爆发，正在推动光互连成为半导体行业炙手可热的赛道，众多企业纷纷加码布局，抢抓算力网络升级带来的发展机遇。芯联集成从传统功率、传感业务延伸至光互连领域，在第27届中国国际光电博览会上完成光博会首秀，集中展示自身全链路光互连技术实力，引发行业广泛关注。

作为国内为数不多的端到端光互连代工平台，芯联集成搭建起覆盖光芯片、电芯片、异质集成、TSV、光开关的完整技术体系。企业手握成熟的硅光、SiGe迭代路线，具备12英寸+8英寸+6英寸全尺寸晶圆量产能力，国内领先的MEMS制造产能，配合EDA生态协同与FOT底层工艺平台，既保障工艺与产能稳定，也帮助客户降低研发门槛，加速产品落地进程。

在光芯片层面，光互连器件涉及复杂多元的材料体系，自建全套工艺投入高、周期漫长、研发风险大。芯联集成打造的光芯片平台覆盖多款核心器件：12英寸Si/SiN光波导与Ge探测器平台，支撑90nm、55nm、40nm多代工艺节点研发；光源方向布局VCSEL、InP激光器，同步开展MicroLED新型光源研发；调制器领域提供TF‑LN工艺支持。客户可以依据传输速率、传输距离、成本预算灵活选择工艺方案，不必承担自建产线的高额投入。

电芯片是光互连系统不可或缺的组成部分。光电探测器输出的电流信号十分微弱，必须依靠高性能放大器完成信号还原。芯联集成依托12英寸SiGe平台开发跨阻放大器、激光驱动器，适配高速光模块发射与接收两端。借助光电协同设计，在同一工艺体系完成接口匹配、寄生参数优化，减少芯片互连环节产生的带宽损耗，充分释放电芯片性能，满足高速光模块严苛技术指标。

伴随光模块速率持续提升，传统分立封装短板不断显现，NPO、CPO光电共封装技术成为下一代算力网络重要演进方向。芯联集成展出12英寸TSV平台，搭配Hybrid Bonding、TCB集成工艺，实现光芯片、电芯片晶圆级三维高密度堆叠。该方案可以缩短信号传输路径，实现降功耗、缩尺寸的效果，为NPO/CPO产业化提供晶圆制造支撑。

针对AI集群规模扩张后，“光‑电‑光”转换带来高时延、高功耗痛点，企业推出8英寸MEMS OCS平台。这套方案无需光电转换就能够直接完成光信号路由交换，有效降低AI集群内部互联、大模型训练网络的功耗与延迟。目前MEMS OCS芯片已经完成全流程验证，迈入小批量试制阶段。

展会现场，SiPh、SiGe、VCSEL、MEMS微振镜、MicroLED、ASIC等多类核心技术平台同步对外展示，技术实力可以覆盖800G、1.6T、3.2T以及后续迭代的光互连应用场景。产能端，芯联集成抛出约200亿元的四期投资项目，重点建设55nm硅光芯片平台，面向数据中心光互连、AI集群通信、高速光模块三大场景扩产。同时布局55nm SiGe跨阻放大器与激光驱动芯片平台，和硅光工艺形成协同，输出完整光引擎代工方案，助力国内AI算力基础设施走向自主可控。

此次光博会只是芯联集成展示光互连技术的一个窗口。未来企业将以功率、传感、光互连三大业务为支点，打通芯片研发、晶圆制造、模块封装全链条，搭建包含MEMS、功率半导体、模拟IC、MCU、光互连的多元技术平台，为AI算力互联、汽车、新能源、工控等多元行业输出一站式系统解决方案。